> > > >

Электронные свойства дислокации в полупроводниках

Электронные свойства дислокации в полупроводниках

Оставить отзыв
Издательство Едиториал УРСС
Год выпуска 2000
Срок комплектации до 10 рабочих дней
ISBN 5-8360-0068-9
Язык Русский
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.ISBN:5-8360-0068-9
Цена: 955 грн.